14纳米制程

半导体器件制造
10 µm – 1971年 6 µm – 1974年 3 µm – 1977年 1.5 µm – 1982年 1 µm – 1985年 800 nm – 1989年 600 nm – 1994年 350 nm – 1995年 250 nm – 1997年 180 nm – 1999年 130 nm – 2001年 90 nm – 2004年 65 nm – 2006年 45 nm – 2008年 32 nm – 2010年 22 nm – 2012年 14 nm – 2014年 10 nm – 2017年 7 nm  – 2018年 5 nm – 约2020年

14纳米制程是半导体制造制程个一个水平。最早个14纳米器件是由英特尔勒2014年制造。

拉14纳米中，使用了多重图形曝光模式。