相变化存储器

相变化存储器（英语：Phase-change memory，英语：Ovonic Unified Memory，英语：Chalcogenide RAM，简称PCM, PRAM, PCRAM, CRAM），又译为相变位存储器，是一种非易失性存储器设备。PRAM使用含一种或多种硫族化物个玻璃（Chalcogenide glass）制成，目前个主流为GeSbTe系合金。硫属玻璃个特性是，经由加热可以改变伊个状态，成为晶体（Crystalline）或非晶体（Amorphous）。迭些弗同状态具有相应个电阻值。因此PRAM可以用来存储弗同个数值。