双极性晶体管

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双极性晶体管(英语:bipolar transistor),全称双极性结型晶体管(bipolar junction transistor, BJT),俗称三极管,是一种具有三个终端个电子器件。双极性晶体管是电子学历史上具有革命意义个一项发明,渠个发明者威廉·肖克利、约翰·巴丁搭沃尔特·布喇顿拔授予1956年个诺贝尔物理学奖。

一个双极性晶体管由三个弗同个掺杂半导体区域组成,伊拉分别是发射极区域、基极区域脱集电极区域。搿眼区域垃NPN型晶体管里向分别是N型、P型脱N型半导体,而垃PNP型晶体管里向则分别是P型、N型脱仔P型半导体。每一个半导体区域都有一个引脚端接出,常庄用字母EBC来表示发射极(Emitter)、基极(Base)脱集电极(Collector)。

NPN型[编辑]

NPN型脱PNP型双极性晶体管个符号,NPN型个箭头指向外头,PNP型个箭头指向里向头。

NPN型晶体管个N型掺杂区垃外面,里向一层P型掺杂半导体(基极)。

PNP型[编辑]

PNP型晶体管个P型掺杂区垃外面,里向一层N型掺杂半导体(基极)。